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| 品(pǐn)牌 | Metrohm/瑞(ruì)士(shì)萬通(tōng) |
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主(zhǔ)要技術(shù)參數
模塊(kuài)式(shì)結(jié)構(gòu):否(fǒu)
· zui大電流:±100mA
· zui大(dà)響應電(diàn)壓:±10V
· 恒(héng)電(diàn)位儀/恒電流(liú)儀(yí):是(shì)
· 電位掃(sǎo)描(miáo)範圍(wéi):±10V· 施(shī)加電位精度:設定±2mV之±0.2%
· 施加(jiā)電位分(fēn)辨率:150μV
· 測量電(diàn)位分辨(biàn)率:3μV
· 電(diàn)流檔(dàng):10nA-10mA,七(qī)檔
· 電流精度:電(diàn)流值或電(diàn)流檔的±0.2%
· 施加電(diàn)流分辨(biàn)率:電(diàn)流(liú)檔的0.015%
· 測(cè)量電(diàn)流分(fēn)辨(biàn)率(shuài):電(diàn)流(liú)範檔(dàng)的0.0003%——在10nA電(diàn)流(liú)時:30fA
· 恒(héng)電(diàn)位儀頻(pín)寬:1MHz
· 恒電(diàn)位(wèi)儀上(shàng)升/下降時間(1V階躍,10-90%):< 300ns· 電(diàn)量(liáng)計(jì)輸(shū)入阻抗(kàng):>100GOhm//<8pF
· 輸入偏(piān)置電(diàn)流/25℃:<1pA· 模(mó)擬(nǐ)積分器:內置
應(yīng)用(yòng)領域(yù)
· 生(shēng)物傳(chuán)感(gǎn)器(qì)
· 伏安分析
· 電沉積
· 納米材(cái)料等(děng)
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